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新闻动态 > 行业动态 > 六甲基二硅氮烷成半导体制造关键材料，纯度控制突破技术壁垒

  • 六甲基二硅氮烷成半导体制造关键材料，纯度控制突破技术壁垒

           在半导体芯片制造工艺持续升级的背景下，高纯度六甲基二硅氮烷作为光刻胶助剂的核心原料，近日实现关键技术突破。国内某材料企业生产的该产品以 99.0% 的纯度指标，打破国外企业在高端领域的垄断格局。
           该产品具有独特的物理化学特性：25℃时密度恒定为 0.774g/cm³，在光刻胶涂布过程中可精准控制涂层厚度；1.4069-1.4089 的折射率范围，确保在紫外光曝光环节实现精确的光路传导。其 - 78℃的低熔点特性，可适应半导体制造中的深冷处理工艺，而 125℃的沸点参数则满足薄膜固化过程的温度需求。
           针对半导体行业对杂质含量的极致要求，该产品将氯离子含量严格控制在 50PPM 以下，六甲基二硅氧烷与三甲基硅醇等有害杂质分别控制在 0.5% 和 0.3% 以内。这种高精度的杂质控制能力，可有效避免芯片制造过程中的离子污染，提升器件良率。
           据某晶圆厂技术总监透露，该材料与光刻胶发生反应时形成的硅氮键保护层，能显著提升图形转移精度，使 7 纳米以下制程的关键尺寸偏差控制在 ±1 纳米范围内。目前，该产品已在国内多家 12 英寸晶圆厂完成验证测试，预计可使光刻工序成本降低 15% 以上。

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